CASCODE GAN HB 600V 70A MODULE (TPD3215M)
Part Number: TPD3215M
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Bulk
- Серия: -
- Состояние детали: Last Time Buy
- Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Half Bridge)
- Особенности полевого транзистора: GaNFET (Gallium Nitride)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 600V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 30A, 8V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: -
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 28nC @ 8V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 2260pF @ 100V
- Мощность: 470W
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Through Hole
- Корпус: Module
- Исполнение корпуса: Module
Цена по запросу