MOSFET N-CH 60V 17A 8TSON (TPN11006NL,LQ)
Part Number: TPN11006NL,LQ
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: U-MOSVIII-H
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 60V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4 mOhm @ 8.5A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.5V @ 200µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 23nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 2000pF @ 30V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 700mW (Ta), 30W (Tc)
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
- Корпус: 8-PowerVDFN
Цена по запросу