MOSFET N-CH 100V 65A D2PAK (TK65G10N1,RQ)
Part Number: TK65G10N1,RQ
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: U-MOSVIII-H
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 100V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 65A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 32.5A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4V @ 1mA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 81nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 5400pF @ 50V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 156W (Tc)
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: D2PAK
- Корпус: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Цена по запросу