MOSFET N-CH 600V 7A TO220SIS (TK560A60Y,S4X)
Part Number: TK560A60Y,S4X
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tube
- Серия: DTMOSV
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 600V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560 mOhm @ 3.5A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4V @ 240µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 14.5nC @ 10V
- Vgs (Max): ±30V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 380pF @ 300V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 30W
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Through Hole
- Исполнение корпуса: TO-220SIS
- Корпус: TO-220-3 Full Pack
Цена по запросу