MOSFET N CH 600V 15.8A D2PAK (TK16G60W,RVQ)
Part Number: TK16G60W,RVQ
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: DTMOSIV
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 600V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 7.9A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 3.7V @ 790µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 38nC @ 10V
- Vgs (Max): ±30V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 1350pF @ 300V
- Особенности полевого транзистора: Super Junction
- Рассеивание мощности (Макс): 130W (Tc)
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: D2PAK
- Корпус: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Цена по запросу