MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220 (TK12E80W,S1X)
Part Number: TK12E80W,S1X
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tube
- Серия: DTMOSIV
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 800V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 5.8A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4V @ 570µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 23nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 1400pF @ 300V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 165W (Tc)
- Рабочая температура: 150°C
- Вид монтажа: Through Hole
- Исполнение корпуса: TO-220
- Корпус: TO-220-3
Цена по запросу