MOSFET N-CH 650V 11.1A DPAK-0S (TK11P65W,RQ)
Part Number: TK11P65W,RQ
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: DTMOSIV
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 650V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 11.1A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440 mOhm @ 5.5A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 3.5V @ 450µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V
- Vgs (Max): ±30V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 890pF @ 300V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 100W (Tc)
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: DPAK
- Корпус: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Цена по запросу