MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC (TPS1101DG4)
Part Number: TPS1101DG4
Documents / Media: datasheets TPS1101DG4
Технические характеристики:
- Упаковка: Tube Alternate Packaging
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: P-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 15V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.5A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 1.5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 11.25nC @ 10V
- Vgs (Max): +2V, -15V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: -
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 791mW (Ta)
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: 8-SOIC
- Корпус: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Цена по запросу