MOSFET P-CH 12V 3PICOSTAR (CSD23381F4)
Part Number: CSD23381F4
Documents / Media: datasheets CSD23381F4
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: NexFET™
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: P-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 12V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175 mOhm @ 500mA, 4.5V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 1.2V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 1.14nC @ 4.5V
- Vgs (Max): -8V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 236pF @ 6V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 500mW (Ta)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: 3-PICOSTAR
- Корпус: 3-XFDFN
7 р.