MOSFET P-CH 8V 3A 6DSBGA (CSD23203WT)

Part Number: CSD23203WT


Documents / Media: datasheets CSD23203WT


Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
  • Серия: NexFET™
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: P-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 8V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.4 mOhm @ 1.5A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 1.1V @ 250µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 6.3nC @ 4.5V
  • Vgs (Max): -6V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 914pF @ 4V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 750mW (Ta)
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Исполнение корпуса: 6-DSBGA
  • Корпус: 6-UFBGA, DSBGA

Цена по запросу