MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON (CSD19537Q3T)
Part Number: CSD19537Q3T
Documents / Media: datasheets CSD19537Q3T
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: NexFET™
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 100V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5 mOhm @ 10A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 3.6V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 21nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 1680pF @ 50V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 2.8W (Ta), 83W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: 8-VSON (3.3x3.3)
- Корпус: 8-PowerVDFN
70 р.