MOSFET N-CH 80V 100A SON5X6 (CSD19502Q5BT)
Part Number: CSD19502Q5BT
Documents / Media: datasheets CSD19502Q5BT
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: NexFET™
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 80V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1 mOhm @ 19A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 3.3V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 62nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 4870pF @ 40V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 3.1W (Ta), 195W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: 8-VSON-CLIP (5x6)
- Корпус: 8-PowerTDFN
Цена по запросу