MOSFET N-CH 80V 100A TO220 (CSD19501KCS)
Part Number: CSD19501KCS
Documents / Media: datasheets CSD19501KCS
Технические характеристики:
- Упаковка: Tube
- Серия: NexFET™
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 80V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6 mOhm @ 60A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 3.2V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 50nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 3980pF @ 40V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 217W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Вид монтажа: Through Hole
- Исполнение корпуса: TO-220-3
- Корпус: TO-220-3
Цена по запросу