40V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSF (CSD18513Q5AT)
Part Number: CSD18513Q5AT
Documents / Media: datasheets CSD18513Q5AT
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: NexFET™
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 40V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 124A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3 mOhm @ 19A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.4V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 61nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 4280pF @ 20V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 96W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: 8-VSONP (5x6)
- Корпус: 8-PowerTDFN
Цена по запросу