MOSFET N-CH 30V 60A 8SON (CSD17309Q3)

Part Number: CSD17309Q3


Documents / Media: datasheets CSD17309Q3


Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
  • Серия: NexFET™
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: N-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 30V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 60A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4 mOhm @ 18A, 8V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 1.7V @ 250µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
  • Vgs (Max): +10V, -8V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 1440pF @ 15V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 2.8W (Ta)
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Исполнение корпуса: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
  • Корпус: 8-PowerTDFN

Цена по запросу