MOSFET N-CH 25V 5X6 8SON (CSD16322Q5)
Part Number: CSD16322Q5
Documents / Media: datasheets CSD16322Q5
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: NexFET™
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 25V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 97A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 20A, 8V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 1.4V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 9.7nC @ 4.5V
- Vgs (Max): +10V, -8V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 1365pF @ 12.5V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 3.1W (Ta)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: 8-VSON-CLIP (5x6)
- Корпус: 8-PowerTDFN
53 р.