MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA (CSD13201W10)
Part Number: CSD13201W10
Documents / Media: datasheets CSD13201W10
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: NexFET™
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 12V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 1A, 4.5V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 1.1V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 2.9nC @ 4.5V
- Vgs (Max): ±8V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 462pF @ 6V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 1.2W (Ta)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: 4-DSBGA (1x1)
- Корпус: 4-UFBGA, DSBGA
Цена по запросу