MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC (TPS1120DR)
Part Number: TPS1120DR
Documents / Media: datasheets TPS1120DR
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: 2 P-Channel (Dual)
- Особенности полевого транзистора: Logic Level Gate
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 15V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 1.17A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 1.5A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 1.5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 5.45nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: -
- Мощность: 840mW
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Исполнение корпуса: 8-SOIC
Цена по запросу