MOSFET 2N-CH 25V 20A 8SON (CSD86330Q3D)
Part Number: CSD86330Q3D
Documents / Media: datasheets CSD86330Q3D
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: NexFET™
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Half Bridge)
- Особенности полевого транзистора: Logic Level Gate
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 25V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 20A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6 mOhm @ 14A, 8V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.1V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 6.2nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 920pF @ 12.5V
- Мощность: 6W
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: 8-PowerLDFN
- Исполнение корпуса: 8-LSON (3.3x3.3)
107 р.