TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S (STGD4M65DF2)
Part Number: STGD4M65DF2
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: M
- Состояние детали: Active
- Тип IGBT: Trench Field Stop
- Напряжение пробоя коллектор-эмиттер: 650V
- Максимальный Ток Коллектора (Ic): 8A
- Коллекторный ток (Icm): 16A
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
- Мощность: 68W
- Switching Energy: 40µJ (on), 136µJ (off)
- Тип входа: Standard
- Gate Charge: 15.2nC
- Время задержки (Включения/Выключения) @ 25°C: 12ns/86ns
- Условие испытаний: 400V, 4A, 47 Ohm, 15V
- Время восстановления запорного слоя (trr): 133ns
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Исполнение корпуса: DPAK
Цена по запросу