TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S (STGB5H60DF)
Part Number: STGB5H60DF
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип IGBT: Trench Field Stop
- Напряжение пробоя коллектор-эмиттер: 600V
- Максимальный Ток Коллектора (Ic): 10A
- Коллекторный ток (Icm): 20A
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 5A
- Мощность: 88W
- Switching Energy: 56µJ (on), 78.5µJ (off)
- Тип входа: Standard
- Gate Charge: 43nC
- Время задержки (Включения/Выключения) @ 25°C: 30ns/140ns
- Условие испытаний: 400V, 5A, 47 Ohm, 15V
- Время восстановления запорного слоя (trr): 134.5ns
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Исполнение корпуса: D2PAK
Цена по запросу