MOSFET N-CH 650V IPAK (STULED656)
Part Number: STULED656
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tube
- Серия: -
- Состояние детали: Obsolete
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 650V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3 Ohm @ 2.7A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4.5V @ 50µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 34nC @ 10V
- Vgs (Max): ±30V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 895pF @ 100V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 70W (Tc)
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Through Hole
- Исполнение корпуса: I-PAK
- Корпус: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Цена по запросу