MOSFET P-CH 60V 10A IPAK (STU10P6F6)
Part Number: STU10P6F6
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tube
- Серия: DeepGATE™, STripFET™ VI
- Состояние детали: Obsolete
- Тип полевого транзистора: P-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 60V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 5A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 6.4nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 340pF @ 48V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 35W (Tc)
- Рабочая температура: 175°C (TJ)
- Вид монтажа: Through Hole
- Исполнение корпуса: IPAK (TO-251)
- Корпус: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Цена по запросу