MOSFET N-CH 600V 7A TO-220 (STP8NM60ND)
Part Number: STP8NM60ND
Documents / Media: datasheets STP8NM60ND
Технические характеристики:
- Упаковка: Tube
- Серия: FDmesh™ II
- Состояние детали: Obsolete
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 600V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 3.5A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 22nC @ 10V
- Vgs (Max): ±30V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 560pF @ 50V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 70W (Tc)
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Through Hole
- Исполнение корпуса: TO-220-3
- Корпус: TO-220-3
Цена по запросу