MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK (STI360N4F6)
Part Number: STI360N4F6
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tube
- Серия: Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI
- Состояние детали: Obsolete
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 40V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 mOhm @ 60A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4.5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 340nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 17930pF @ 25V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 300W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Вид монтажа: Through Hole
- Исполнение корпуса: I2PAK (TO-262)
- Корпус: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Цена по запросу