MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6 (STH315N10F7-6)
Part Number: STH315N10F7-6
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VII
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 100V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3 mOhm @ 60A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4.5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 180nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 12800pF @ 25V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 315W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: H2PAK-6
- Корпус: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Цена по запросу