MOSFET N-CH 950V 4A DPAK (STD5N95K3)
Part Number: STD5N95K3
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: SuperMESH3™
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 950V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 2A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 5V @ 100µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 19nC @ 10V
- Vgs (Max): ±30V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 460pF @ 25V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 90W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: DPAK
- Корпус: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
1 р.