MOSFET P-CH 100V 10A (STD10P10F6)
Part Number: STD10P10F6
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: STripFET™ F6
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: P-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 100V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 5A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 16.5nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 864pF @ 80V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 40W (Tc)
- Рабочая температура: 175°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: DPAK
- Корпус: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Цена по запросу