MOSFET 2 N-CHANNEL 60V 8A 8SO (STS8DN6LF6AG)
Part Number: STS8DN6LF6AG
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
- Особенности полевого транзистора: Logic Level Gate
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 60V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 4A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 27nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 1340pF @ 25V
- Мощность: 3.2W
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Исполнение корпуса: 8-SO
Цена по запросу