MOSFET N-CH 600V 11A LDPAK (RJL6013DPE-00#J3)
Part Number: RJL6013DPE-00#J3
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR)
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 600V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 810 mOhm @ 5.5A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: -
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 38nC @ 10V
- Vgs (Max): ±30V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 1400pF @ 25V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 100W (Tc)
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: 4-LDPAK
- Корпус: SC-83
Цена по запросу