MOSFET N-CH 100V LDPAK (H7N1002LSTL-E)
Part Number: H7N1002LSTL-E
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR)
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 100V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 75A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 37.5A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: -
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 155nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 9700pF @ 10V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 100W (Tc)
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: 4-LDPAK
- Корпус: SC-83
Цена по запросу