MOSFET N-CH 250V 20A LDPAK (H5N2522LSTL-E)
Part Number: H5N2522LSTL-E
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR)
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 250V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 10A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: -
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 47nC @ 10V
- Vgs (Max): ±30V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 1300pF @ 25V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 75W (Tc)
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: 4-LDPAK
- Корпус: SC-83
Цена по запросу