MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP (RJM0603JSC-00#13)
Part Number: RJM0603JSC-00#13
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: -
- Серия: Automotive, AEC-Q101
- Состояние детали: Obsolete
- Тип полевого транзистора: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)
- Особенности полевого транзистора: Logic Level Gate, 4.5V Drive
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 60V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 20A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 10A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.5V @ 1mA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 43nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 2600pF @ 10V
- Мощность: 54W
- Рабочая температура: 175°C
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: 20-SOIC (0.433", 11.00mm Width) Exposed Pad
- Исполнение корпуса: 20-HSOP
Цена по запросу