JFET P-CH 30V 0.225W SOT23 (MMBFJ175LT3G)
Part Number: MMBFJ175LT3G
Documents / Media: datasheets MMBFJ175LT3G
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR)
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: P-Channel
- Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS): 30V
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): -
- Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 7mA @ 15V
- Current Drain (Id) - Max: -
- Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 3V @ 10nA
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 11pF @ 10V (VGS)
- Resistance - RDS(On): 125 Ohms
- Мощность: 225mW
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Исполнение корпуса: SOT-23 (TO-236AB)
Цена по запросу