IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE (NGTD28T65F2WP)
Part Number: NGTD28T65F2WP
Documents / Media: datasheets NGTD28T65F2WP
Технические характеристики:
- Упаковка: Bulk
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип IGBT: Trench Field Stop
- Напряжение пробоя коллектор-эмиттер: 650V
- Максимальный Ток Коллектора (Ic): -
- Коллекторный ток (Icm): 200A
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A
- Мощность: -
- Switching Energy: -
- Тип входа: Standard
- Gate Charge: -
- Время задержки (Включения/Выключения) @ 25°C: -
- Условие испытаний: -
- Время восстановления запорного слоя (trr): -
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: Die
- Исполнение корпуса: Die
Цена по запросу