IGBT 650V 100A 319W TO-3PN (FGA50T65SHD)
Part Number: FGA50T65SHD
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tube
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип IGBT: Trench Field Stop
- Напряжение пробоя коллектор-эмиттер: 650V
- Максимальный Ток Коллектора (Ic): 100A
- Коллекторный ток (Icm): 150A
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
- Мощность: 319W
- Switching Energy: 1.28mJ (on), 384µJ (off)
- Тип входа: Standard
- Gate Charge: 87nC
- Время задержки (Включения/Выключения) @ 25°C: 22.4ns/73.6ns
- Условие испытаний: 400V, 50A, 6 Ohm, 15V
- Время восстановления запорного слоя (trr): 34.6ns
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Вид монтажа: Through Hole
- Корпус: TO-3P-3, SC-65-3
- Исполнение корпуса: TO-3PN
Цена по запросу