MOSFET N-CH 60V 22A DPAK DPAK (NVD5867NLT4G-TB01)
Part Number: NVD5867NLT4G-TB01
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: -
- Серия: Automotive, AEC-Q101
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 60V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 22A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 11A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 675pF @ 25V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 3.3W (Ta), 43W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: DPAK-3
- Корпус: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Цена по запросу