MOSFET N-CH 40V 101A DPAK (NVD5802NT4G-TB01)
Part Number: NVD5802NT4G-TB01
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR)
- Серия: Automotive, AEC-Q101
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 40V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 16.4A (Ta), 101A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4 mOhm @ 50A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 3.5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 100nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 5300pF @ 12V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 2.5W (Ta), 93.75W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: DPAK
- Корпус: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Цена по запросу