MOSFET N-CH 60V 46A DPAK (NTD5865NLT4G)
Part Number: NTD5865NLT4G
Documents / Media: datasheets NTD5865NLT4G
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 60V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 20A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 29nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 1400pF @ 25V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 71W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: DPAK
- Корпус: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
1 р.