INTEGRATED CIRCUIT (MVB50P03HDLT4G)
Part Number: MVB50P03HDLT4G
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: -
- Серия: Automotive, AEC-Q101
- Состояние детали: Last Time Buy
- Тип полевого транзистора: P-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 30V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 25A, 5V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 100nC @ 5V
- Vgs (Max): ±15V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 4.9nF @ 25V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 125W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: D2PAK-3
- Корпус: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Цена по запросу