MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223 (FQT7N10LTF)
Part Number: FQT7N10LTF
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: QFET®
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 100V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 850mA, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 6nC @ 5V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 290pF @ 25V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 2W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: SOT-223-4
- Корпус: TO-261-4, TO-261AA
1 р.