MOSFET P-CH 200V 0.67A SOT-223 (FQT3P20TF)
Part Number: FQT3P20TF
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: QFET®
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: P-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 200V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 670mA (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7 Ohm @ 335mA, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 8nC @ 10V
- Vgs (Max): ±30V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 250pF @ 25V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 2.5W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: SOT-223-4
- Корпус: TO-261-4, TO-261AA
21 р.