MOSFET P-CH 200V 0.67A SOT-223 (FQT3P20TF)

Part Number: FQT3P20TF


Documents / Media: datasheets отсутствует


Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
  • Серия: QFET®
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: P-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 200V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 670mA (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7 Ohm @ 335mA, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 5V @ 250µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 8nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 250pF @ 25V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 2.5W (Tc)
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Исполнение корпуса: SOT-223-4
  • Корпус: TO-261-4, TO-261AA

21 р.