MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK (FQD10N20CTM)
Part Number: FQD10N20CTM
Documents / Media: datasheets FQD10N20CTM
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: QFET®
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 200V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 7.8A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360 mOhm @ 3.9A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 26nC @ 10V
- Vgs (Max): ±30V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 510pF @ 25V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 50W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: D-Pak
- Корпус: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
1 р.