INTEGRATED CIRCUIT (BSS138-T)
Part Number: BSS138-T
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR)
- Серия: -
- Состояние детали: Last Time Buy
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 50V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 220mA, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 1.5V @ 1mA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 2.4nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 27pF @ 25V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 360mW (Ta)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: SOT-23-3 (TO-236)
- Корпус: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Цена по запросу