MOSFET 2N-CH 60V 6A SO8FL (NVMFD5877NLWFT1G)
Part Number: NVMFD5877NLWFT1G
Documents / Media: datasheets NVMFD5877NLWFT1G
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
- Особенности полевого транзистора: Logic Level Gate
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 60V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 6A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 7.5A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 3V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 540pF @ 25V
- Мощность: 3.2W
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: 8-PowerTDFN
- Исполнение корпуса: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
48 р.