MOSFET 2N-CH 60V 6.4A 8DFN (NVMFD5483NLT3G)
Part Number: NVMFD5483NLT3G
Documents / Media: datasheets NVMFD5483NLT3G
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
- Особенности полевого транзистора: Logic Level Gate
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 60V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 6.4A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 15A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 23.4nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 668pF @ 25V
- Мощность: 3.1W
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: 8-PowerTDFN
- Исполнение корпуса: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Цена по запросу