MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC (NTMD6P02R2G)
Part Number: NTMD6P02R2G
Documents / Media: datasheets NTMD6P02R2G
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: 2 P-Channel (Dual)
- Особенности полевого транзистора: Logic Level Gate
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 20V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 4.8A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 6.2A, 4.5V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 1.2V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 35nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 1700pF @ 16V
- Мощность: 750mW
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Исполнение корпуса: 8-SOIC
32 р.