MOSFET 2N-CH 80V 1.1A 8SOIC (NTMD6601NR2G)
Part Number: NTMD6601NR2G
Documents / Media: datasheets NTMD6601NR2G
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR)
- Серия: -
- Состояние детали: Obsolete
- Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
- Особенности полевого транзистора: Logic Level Gate
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 80V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 1.1A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 215 mOhm @ 2.2A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 3V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 400pF @ 25V
- Мощность: 600mW
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Исполнение корпуса: 8-SOIC
Цена по запросу