MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SOIC (NTMD4820NR2G)
Part Number: NTMD4820NR2G
Documents / Media: datasheets NTMD4820NR2G
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
- Особенности полевого транзистора: Logic Level Gate
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 30V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 4.9A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 7.5A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 3V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 7.7nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 940pF @ 15V
- Мощность: 750mW
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Исполнение корпуса: 8-SOIC
Цена по запросу