MOSFET N/P-CH 20V 1206A (NTHC5513T1G)
Part Number: NTHC5513T1G
Documents / Media: datasheets NTHC5513T1G
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N and P-Channel
- Особенности полевого транзистора: Logic Level Gate
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 20V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 2.9A, 2.2A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2.9A, 4.5V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 1.2V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 180pF @ 10V
- Мощность: 1.1W
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: 8-SMD, Flat Lead
- Исполнение корпуса: ChipFET™
23 р.